BASiC国产SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模块介绍

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2025-1-20 14:13 上传

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介绍了BASiC公司国产SiC MOSFET分立器件和技术发展的最新进展。首先阐述了BASiC公司的B2M、B3M系列SiC MOSFET产品的技术特性，重点展示了静态参数如高BV、低漏电流及驱动电压为+18V的特点，同时在动态参数方面表现尤为突出，表现为较低的开关损耗和低寄生电容。在B3M系列上实现了显著的改进，使比导通电阻降低，面积减少。此外强调了车规级产品认证和广泛的市场应用，特别是在光伏、电焊机、PCS、充电桩等领域。文中还提供了多个具体应用案例和产品对比表格，显示了其产品的优异性能和技术领先性。最后探讨了一些重要的可靠性测试结果和长期实验验证情况。适用人群：适用于关注功率器件特别是SiC MOSFET的工程师、产品经理以及研发人员。使用场景及目标：旨在帮助使用者选择适合自己应用场景的最佳SiC MOSFET器件，并深入了解该类产品在工业控制、电源转换及汽车等领域的优势与发展趋势。其他说明：本文档详尽记录了BASiC公司在SiC技术和产品研发方面的努力和发展方向，体现了公司在推动本土高科技产业发展的重要角色。
本主题由 世纪电源网-九天 于 2025-1-16 09:06 审核通过