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三相维也纳PFC使用Si和SiC器件的拓扑为什么有如下图的区别?

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发表于 2020-1-15 07:43:40 | 显示全部楼层 |阅读模式
如题,请教一下为什么SiC器件可以直接用三相桥替代Si的二极管和MOS的搭配方式,请大佬分析一下,谢谢!

这是Si器件的维也纳PFC

这是Si器件的维也纳PFC

这是SiC器件维也纳PFC

这是SiC器件维也纳PFC




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 楼主| 发表于 2020-1-15 11:21:15 | 显示全部楼层
为啥没人呢
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发表于 2020-1-15 12:12:56 | 显示全部楼层
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 楼主| 发表于 2020-1-16 07:55:34 | 显示全部楼层

您好,替换是可以替换,我的疑问是为啥以前不直接使用2电平三相拓扑,以前就用6管2电平的损耗和维也纳的6个二极管+6管的损耗还小吧,为啥要在SiC普及以后才有这个替代关系呢?
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发表于 2020-1-16 08:52:11 | 显示全部楼层
大师兄007 发表于 2020-1-16 07:55
您好,替换是可以替换,我的疑问是为啥以前不直接使用2电平三相拓扑,以前就用6管2电平的损耗和维也纳的6 ...

了解一下SiC器件的优点,宽禁带半导体!
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发表于 2020-3-6 08:46:59 | 显示全部楼层
如果需要器件及相关规格书的话,我可以帮忙。我是泰科天润半导体的,公司生产碳化硅功率器件,工厂在北京中关村东升科技园。张生Q1685952288.
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发表于 2020-4-8 10:10:31 | 显示全部楼层
SiC mosfet耐压比Si mosfet要高,SiC mosfet有耐压1200V的器件,这就解决了800V母线时普通Si mosfet不能用两电平的痛点。两电平简化了拓扑结构。
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