设为首页收藏本站

开启辅助访问切换到窄版

点击获取下载券？

电力电子技术与新能源»论坛 › 电力电子技术 › 功率半导体器件(MOS,IGBT,SiC,GaN) › mos串联均压

发新帖

查看: 585|回复: 0

[资料分享] mos串联均压

[复制链接] TA的其它主题

11 主题	55 帖子	259 积分

Rank: 3 Rank: 3

积分: 259

发消息

发表于 2022-3-5 09:19:55 | 显示全部楼层 |阅读模式

文章: Active_Gate_Drive_With_GateDrain_Discharge_Compensation_for_Voltage_Balancing_in_Series-Connected_SiC_MOSFETs

Active_Gate_Drive_With_GateDrain_Discharge_Compensation_for_Voltage_Balancing_in.pdf

7.78 MB, 下载次数: 1, 下载积分: 下载券 -1

上一篇：车用IGBT器件技术概述
下一篇：SiC MOSFET开断损耗Eoff

主题推荐

回复

使用道具举报

发新帖


18658270835


扫一扫，关注我们



关注微信公众号：电力电子技术与新能源

关注我们，每天有惊喜，每日有活动，扫描左边二维码，即可关注，你还在等什么？

|Archiver|手机版|小黑屋|电力电子技术与新能源

GMT+8, 2024-5-1 08:14 , Processed in 0.061414 second(s), 26 queries .

Powered by Discuz! X3.4

© 2001-2017 Comsenz Inc.

快速回复 返回顶部 返回列表