设为首页收藏本站

开启辅助访问切换到窄版

点击获取下载券？

电力电子技术与新能源»论坛 › 电力电子技术 › 功率半导体器件(MOS,IGBT,SiC,GaN) › GBT 模块栅极电压米勒平台时延与结温的关系 ...

发新帖

查看: 564|回复: 0

[资料分享] GBT 模块栅极电压米勒平台时延与结温的关系

[复制链接] TA的其它主题

25 主题	69 帖子	255 积分

Rank: 3 Rank: 3

积分: 255

发消息

发表于 2022-2-24 10:18:07 | 显示全部楼层 |阅读模式

IGBT 模块栅极电压米勒平台时延与结温的关.pdf

453.7 KB, 下载次数: 6, 下载积分: 下载券 -1

上一篇：碳化硅器件：先进封装技术与可靠性问题
下一篇：MOSFET特性参数的理解

主题推荐

回复

使用道具举报

发新帖


18658270835


扫一扫，关注我们



关注微信公众号：电力电子技术与新能源

关注我们，每天有惊喜，每日有活动，扫描左边二维码，即可关注，你还在等什么？

|Archiver|手机版|小黑屋|电力电子技术与新能源

GMT+8, 2024-4-27 22:00 , Processed in 0.074769 second(s), 34 queries .

Powered by Discuz! X3.4

© 2001-2017 Comsenz Inc.

快速回复 返回顶部 返回列表